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Device Performance and Reliability Characterization of Interface and Bulk Effect in Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide (a-IGZO) Thin Film Transistor

本文檔由 小西西 分享于2011-01-28 02:13

Device Performance and Reliability Characterization of Interface and Bulk Effect in Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide (a-IGZO) Thin Film Transistor
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高等教育  —  生物學(xué)
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Device channel Interface stress Thin Film Zinc Oxide Effect Amorphous
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igzo device amorphous gallium transistor reliability
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